โหลด MOV SMD ชิปบนพื้นผิวการติดตั้งการป้องกันการกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกร

รายละเอียดสินค้า

โหลด MOV SMD ชิปพื้นผิวการติดตั้งตัวป้องกันการกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับ

เครื่องวาริสตอร์เรเดียล 34 มิลลิเมตร MOV-34SxxxK ระบบป้องกันจากความดันสูงเกิน เช่นฟ้าคะนอง ติดต่อพลังงานและการนําพลังงานวาริสตอร์อ๊อกไซด์โลหะให้เลือก วาริสตอร์ความดันจาก 200 V ถึง 1600 V และ Vrmsvoltages จาก 130 V ถึง 1000 Vอุปกรณ์มีความสามารถในการจัดการกับกระแสไฟฟ้าที่สูง ความสามารถในการดูดซึมพลังงานที่สูง และเวลาตอบสนองที่รวดเร็ว เพื่อป้องกันความผิดพลาดชั่วคราว

ระยะความกระชับกําลังในการทํางานที่กว้าง (V1mA) จาก 82V ถึง 1600V

การตอบสนองอย่างรวดเร็วต่อความดันเกินระยะสั้น

ความสามารถในการดูดซึมพลังงานชั่วคราวขนาดใหญ่

อัตราการปักที่ต่ําและไม่มีกระแสต่อเนื่อง

ตอบสนอง MSL ระดับ 1 ตาม J-STD-020

อุณหภูมิการทํางาน: -40 °C ~ + 85 °C

อุณหภูมิการเก็บรักษา: -40 °C ~ + 125 °C

ไม่มีสารรังสี

ร่าง: เนคเกิล

สายนํา: ด้านบน-การติดตั้ง, อุปกรณ์แกน: TinPlated

อุปกรณ์ที่ไม่มีหมอน: ปลอม nickel

• ทรานซิสเตอร์, ไดโอเดส, IC, ไทริสตอร์หรือการป้องกันครึ่งตัวนํา triiac

• การป้องกันการกระตุ้นในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

• การป้องกันการกระตุ้นในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์

• ป้องกันการกระตุ้นในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในบ้าน, อุปกรณ์ก๊าซและน้ํามัน

• การดูดซึมอัตราการกระตุ้นของเรเล่และวาล์วไฟฟ้าแม่เหล็ก